Nella foto a sinistra
l'Immagine ingrandita di un substrato di rame
di rugosità ~30 nm irraggiato a ISIR (Osaka)
con 5000 impulsi di radiazione THz all’angolo
di incidenza di 30° il danneggiamento ha
dimensioni di ~400 micron, a destra
l'immagine della regione centrale (~200
micron) ottenuta con il microscopio
elettronicoqui sono evidenti molte piccole
strutture di ossido di rame che si formano
nella zona centrale a seguito delle scariche
provocate da un campo elettrico di qualche
GV/m.